Transistor bipolare onsemi BCP5610MTWG, 3 Pin NPN, DFN2020-3, 1 A, 80 V cc, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
333-384
Codice costruttore:
BCP5610MTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor bipolare

Corrente CC massima collettore Idc

1A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

80V cc

Tipo di package

DFN2020-3

Tipo montaggio

Superficie

Tensione massima base del collettore VCBO

100V

Tensione massima base emettitore VBEO

6V

Guadagno minimo di corrente CC hFE

63

Minima temperatura operativa

65°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Frequenza transizione massima ft

140MHz

Polarità transistor

NPN

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

3

Serie

BCP56M

Standard/Approvazioni

Pb-Free, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il transistor di media potenza di ON Semiconductor è progettato per applicazioni di amplificazione generiche. È alloggiato in un contenitore DFN2020-3 che offre prestazioni termiche superiori. Il transistor è ideale per le applicazioni di montaggio superficiale di media potenza in cui lo spazio sulla scheda e l'affidabilità sono al massimo.

Certificazione AEC-Q101

Pacchetto WDFNW3

Senza Pb e senza alogeni

Soluzione conforme alla direttiva RoHS

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