Transistor bipolare onsemi NSVBCP5610MTWG, 3 Pin NPN, WDFNW3, 1.0 A, 80 V cc, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
333-395
Codice costruttore:
NSVBCP5610MTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor bipolare

Corrente CC massima collettore Idc

1.0A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

80V cc

Tipo di package

WDFNW3

Tipo montaggio

Superficie

Tensione massima base del collettore VCBO

100V

Frequenza transizione massima ft

140MHz

Tensione massima base emettitore VBEO

6.0V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Guadagno minimo di corrente CC hFE

63

Polarità transistor

NPN

Minima temperatura operativa

65°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

3

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il transistor di media potenza di ON Semiconductor è progettato per applicazioni di amplificazione generiche. È alloggiato in un contenitore DFN2020-3 che offre prestazioni termiche superiori. Il transistor è ideale per le applicazioni di montaggio superficiale di media potenza in cui lo spazio sulla scheda e l'affidabilità sono al massimo.

Certificazione AEC-Q101

Pacchetto WDFNW3

Senza Pb e senza alogeni

Soluzione conforme alla direttiva RoHS

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