Transistor bipolare onsemi NSVT846MTWFTBG, 3 Pin NPN, DFN1010-3, 100 mA, 65 V cc, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
333-396
Codice costruttore:
NSVT846MTWFTBG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor bipolare

Corrente CC massima collettore Idc

100mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

65V cc

Tipo di package

DFN1010-3

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima base del collettore VCBO

80V

Minima temperatura operativa

65°C

Frequenza transizione massima ft

100MHz

Dissipazione di potenza massima Pd

570mW

Polarità transistor

NPN

Tensione massima base emettitore VBEO

5.0V

Guadagno minimo di corrente CC hFE

150

Numero pin

3

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Pb-Free, RoHS

Lunghezza

1.00mm

Altezza

0.38mm

Serie

NST846MTWFT

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il transistor di ON Semiconductor è progettato per applicazioni di amplificazione generiche. È alloggiato in un DFN1010-3 ultracompatto con fianchi bagnabili, consigliato per i metodi di ispezione ottica dell'industria automobilistica. Il transistor è ideale per le applicazioni di montaggio superficiale a bassa potenza in cui lo spazio sulla scheda e l'affidabilità sono al massimo.

Certificazione AEC-Q101

Pacchetto XDFNW3

Senza Pb e senza alogeni

Soluzione conforme alla direttiva RoHS

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