Transistor bipolare onsemi NST817CMTWFTBG, 3 Pin NPN, DFN1010-3, 500 mA, 45 V cc, Superficie
- Codice RS:
- 333-390
- Codice costruttore:
- NST817CMTWFTBG
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 nastro da 50 unità*
14,95 €
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18,25 €
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Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,299 € | 14,95 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 333-390
- Codice costruttore:
- NST817CMTWFTBG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 500mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 45V cc | |
| Tipo di package | DFN1010-3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 50V | |
| Minima temperatura operativa | 65°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 5.0V | |
| Frequenza transizione massima ft | 180MHz | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 250 | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 350mW | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Pb-Free | |
| Serie | NST817 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare | ||
Corrente CC massima collettore Idc 500mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 45V cc | ||
Tipo di package DFN1010-3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 50V | ||
Minima temperatura operativa 65°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 5.0V | ||
Frequenza transizione massima ft 180MHz | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 250 | ||
Polarità transistor NPN | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 350mW | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 3 | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Pb-Free | ||
Serie NST817 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- MY
Il transistor di ON Semiconductor è progettato per applicazioni di amplificazione generiche. È alloggiato in un contenitore DFN1010-3 che offre prestazioni termiche superiori. Il transistor è ideale per le applicazioni di montaggio superficiale in cui lo spazio e l'affidabilità della scheda sono al massimo.
Certificazione AEC-Q101
Pacchetto XDFNW3
Senza Pb e senza alogeni
Soluzione conforme alla direttiva RoHS
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