Transistor Nexperia PBSS5160U,115, 3 Pin PnP, UMT, -1 A, -60 V, Superficie
- Codice RS:
- 485-353
- Codice costruttore:
- PBSS5160U,115
- Costruttore:
- Nexperia
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|---|---|---|
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| 60 - 100 | 0,149 € | 2,98 € |
| 120 - 220 | 0,066 € | 1,32 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 485-353
- Codice costruttore:
- PBSS5160U,115
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -1A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -60V | |
| Tipo di package | UMT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 80V | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 5V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 100 | |
| Frequenza transizione massima ft | 185MHz | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 415mW | |
| Numero pin | 3 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | PBSS5160U | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc -1A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -60V | ||
Tipo di package UMT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 80V | ||
Polarità transistor PnP | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 5V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 100 | ||
Frequenza transizione massima ft 185MHz | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 415mW | ||
Numero pin 3 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie PBSS5160U | ||
Altezza 0.95mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Transistor PNP a bassa tensione di saturazione
Una gamma di transistor a giunzione bipolare PNP a bassa tensione di saturazione BISS (Breakthrough In Small Signal) NXP. Questi dispositivi sono caratterizzati da tensioni di saturazione collettore-emettitore molto basse e capacità di corrente collettore elevate in contenitori compatti salvaspazio. Le perdite ridotte di questi transistor si traducono in una minore generazione di calore e un aumento complessivo dell'efficienza quando utilizzati in applicazioni digitali e di commutazione.
Transistor bipolari, Nexperia
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