Transistor PNP Nexperia, 4 + Tab Pin, LFPAK56, SOT669, -6 A, -60 V, Montaggio superficiale

Transistor singoli a bassa potenza VCEsat (BISS), in grado di rispondere alle sfide del funzionamento a elevata efficienza; nei sistemi ad alta potenza il funzionamento ad alta efficienza energetica può essere importante tanto quanto per le applicazioni a bassa potenza. Riducendo al minimo il consumo energetico e la dissipazione del calore, le nostre soluzioni BISS contribuiscono a vincere questa sfida della progettazione.

Transistor bipolare ad alta potenza PNP da 60 V, 6 A. Transistor bipolare ad alta potenza PNP in un contenitore in plastica SOT669 (LFPAK56) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD). Complemento NPN: PHPT60606NY.

Elevata capacità di dissipazione della potenza termica
Adatto per applicazioni ad alte temperature fino a 175 °C
Requisiti delle schede a circuito stampato (PCB) ridotti rispetto ai transistor nei DPAK
Elevata efficienza energetica grazie alla minore generazione di calore
Qualifica AEC-Q101
Gestione dell'alimentazione
Interruttore di carico
Regolatore di tensione a modalità lineare
Applicazioni di retroilluminazione
Azionamento
Sostituzione di relè