Transistor Nexperia, 5 Pin PnP, SOT-669, -3 A, -100 V, Superficie
- Codice RS:
- 153-0697
- Codice costruttore:
- PHPT61003PYX
- Costruttore:
- Nexperia
Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*
436,50 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,291 € | 436,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 153-0697
- Codice costruttore:
- PHPT61003PYX
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -3A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -100V | |
| Tipo di package | SOT-669 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | -100V | |
| Frequenza transizione massima ft | 125MHz | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 150 | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 25W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | -8V | |
| Numero pin | 5 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Serie | PHPT61003PY | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 4.1mm | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc -3A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -100V | ||
Tipo di package SOT-669 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO -100V | ||
Frequenza transizione massima ft 125MHz | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 150 | ||
Polarità transistor PnP | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 25W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO -8V | ||
Numero pin 5 | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Serie PHPT61003PY | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 4.1mm | ||
Altezza 1.05mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Transistor di potenza singoli a bassa potenza VCEsat (BISS), per soddisfare le sfide del funzionamento ad alta efficienza. Nei sistemi ad alta potenza, il funzionamento a basso consumo energetico può essere importante quanto per le applicazioni a bassa potenza. Minimizzando il consumo energetico e la dissipazione di calore, le nostre soluzioni BISS aiutano a soddisfare questa sfida di progettazione.
Transistor bipolare PNP ad alta potenza da 100 V, 3 A, Transistor bipolare NPN ad alta potenza in un contenitore in plastica di potenza per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) SOT669 (LFPAK56). Complemento PNP: PHPT61003PY
Elevata capacità di dissipazione della potenza termica
Adatto per applicazioni ad alta temperatura fino a 175 °C
Requisiti ridotti per la scheda a circuito stampato (PCB) rispetto ai transistor in DPAK
Elevata efficienza energetica grazie alla minore generazione di calore
Certificazione AEC-Q101
Gestione dell'alimentazione
Interruttore di carico
Regolatore di tensione in modalità lineare
Applicazioni di retroilluminazione
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