Transistor PNP Nexperia, 4 + Tab Pin, LFPAK56, SOT669, -10 A, -100 V, Montaggio superficiale

Transistor di potenza singoli a VCEsat basso (BISS), in grado di rispondere alle sfide del funzionamento a elevata efficienza; nei sistemi ad alta potenza il funzionamento ad alta efficienza energetica può essere importante tanto quanto per le applicazioni a bassa potenza. Riducendo al minimo il consumo energetico e la dissipazione del calore, le nostre soluzioni BISS contribuiscono a vincere questa sfida della progettazione.

Transistor bipolare ad alta potenza PNP da 100 V, 10 A. Transistor bipolare ad alta potenza PNP in un contenitore in plastica SOT669 (LFPAK56) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD). Complemento NPN: PHPT61010NY.

Elevata capacità di dissipazione della potenza termica
Adatto per applicazioni ad alte temperature fino a 175 °C
Requisiti delle schede a circuito stampato (PCB) ridotti rispetto ai transistor nei DPAK
Elevata efficienza energetica grazie alla minore generazione di calore
Qualifica AEC-Q101
Gestione dell'alimentazione
Interruttore di carico
Regolatore di tensione a modalità lineare
Applicazioni di retroilluminazione
Azionamento
Sostituzione di relè