Codice costruttore

Transistor Nexperia, 4 Pin NPN, SOT-223, 5 A, 40 V, Superficie

Codice RS:: 166-0354
Codice costruttore:: PBSS4540Z,115
Costruttore:: Nexperia

Transistor Nexperia, 4 Pin NPN, SOT-223, 5 A, 40 V, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

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Codice RS:: 166-0354
Codice costruttore:: PBSS4540Z,115
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo prodotto	Transistor
	Corrente CC massima collettore Idc	5A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo	40V
	Tipo di package	SOT-223
	Tipo montaggio	Superficie
	Configurazione transistor	Singolo
	Tensione massima base del collettore VCBO	40V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2W
	Frequenza transizione massima ft	130MHz
	Tensione massima base emettitore VBEO	6V
	Guadagno minimo di corrente CC hFE	100
	Polarità transistor	NPN
	Minima temperatura operativa	-65°C
	Numero pin	4
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.65mm
	Lunghezza	6.7mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Larghezza	7.3mm
	Serie	PBSS4540Z
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Nexperia
	Tipo prodotto Transistor
	Corrente CC massima collettore Idc 5A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo 40V
	Tipo di package SOT-223
	Tipo montaggio Superficie
	Configurazione transistor Singolo
	Tensione massima base del collettore VCBO 40V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2W
	Frequenza transizione massima ft 130MHz
	Tensione massima base emettitore VBEO 6V
	Guadagno minimo di corrente CC hFE 100
	Polarità transistor NPN
	Minima temperatura operativa -65°C
	Numero pin 4
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.65mm
	Lunghezza 6.7mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Larghezza 7.3mm
	Serie PBSS4540Z
	Standard automobilistico AEC-Q101

Transistor NPN a bassa tensione di saturazione

Una gamma di transistor a giunzione bipolare NPN a bassa tensione di saturazione BISS (Breakthrough In Small Signal) NXP. Questi dispositivi sono caratterizzati da tensioni di saturazione collettore-emettitore molto basse e capacità di corrente collettore elevate in contenitori compatti salvaspazio. Le perdite ridotte di questi transistor si traducono in una minore generazione di calore e un aumento complessivo dell'efficienza quando utilizzati in applicazioni digitali e di commutazione.

Transistor bipolari, Nexperia

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