Codice costruttore

Transistor Nexperia, 4 Pin PnP, SOT-223, -5 A, -40 V, Superficie

Codice RS:: 166-0353
Codice costruttore:: PBSS5540Z,115
Costruttore:: Nexperia

Transistor Nexperia, 4 Pin PnP, SOT-223, -5 A, -40 V, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

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1000 +	0,15 €	150,00 €

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Codice RS:: 166-0353
Codice costruttore:: PBSS5540Z,115
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo prodotto	Transistor
	Corrente CC massima collettore Idc	-5A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo	-40V
	Tipo di package	SOT-223
	Tipo montaggio	Superficie
	Configurazione transistor	Singolo
	Tensione massima base del collettore VCBO	40V
	Polarità transistor	PnP
	Minima temperatura operativa	-65°C
	Tensione massima base emettitore VBEO	6V
	Guadagno minimo di corrente CC hFE	50
	Dissipazione di potenza massima Pd	2W
	Frequenza transizione massima ft	120MHz
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Numero pin	4
	Altezza	1.65mm
	Lunghezza	6.7mm
	Serie	PBSS5540Z
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Nexperia
	Tipo prodotto Transistor
	Corrente CC massima collettore Idc -5A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo -40V
	Tipo di package SOT-223
	Tipo montaggio Superficie
	Configurazione transistor Singolo
	Tensione massima base del collettore VCBO 40V
	Polarità transistor PnP
	Minima temperatura operativa -65°C
	Tensione massima base emettitore VBEO 6V
	Guadagno minimo di corrente CC hFE 50
	Dissipazione di potenza massima Pd 2W
	Frequenza transizione massima ft 120MHz
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Numero pin 4
	Altezza 1.65mm
	Lunghezza 6.7mm
	Serie PBSS5540Z
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

Transistor PNP a bassa tensione di saturazione

Una gamma di transistor a giunzione bipolare PNP a bassa tensione di saturazione BISS (Breakthrough In Small Signal) NXP. Questi dispositivi sono caratterizzati da tensioni di saturazione collettore-emettitore molto basse e capacità di corrente collettore elevate in contenitori compatti salvaspazio. Le perdite ridotte di questi transistor si traducono in una minore generazione di calore e un aumento complessivo dell'efficienza quando utilizzati in applicazioni digitali e di commutazione.

Transistor bipolari, Nexperia

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