Transistor Nexperia PBHV9115Z,115, 4 Pin PnP, SOT-223, -1 A, -150 V, Superficie
- Codice RS:
- 816-0652
- Codice costruttore:
- PBHV9115Z,115
- Costruttore:
- Nexperia
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- Codice RS:
- 816-0652
- Codice costruttore:
- PBHV9115Z,115
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -1A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -150V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | -200V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.4W | |
| Frequenza transizione massima ft | 100MHz | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | -6V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 100 | |
| Numero pin | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.8mm | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Serie | PBHV9115Z | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc -1A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -150V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO -200V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.4W | ||
Frequenza transizione massima ft 100MHz | ||
Polarità transistor PnP | ||
Tensione massima base emettitore VBEO -6V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 100 | ||
Numero pin 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.8mm | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Serie PBHV9115Z | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Transistor PNP a bassa tensione di saturazione
Una gamma di transistor a giunzione bipolare PNP a bassa tensione di saturazione BISS (Breakthrough In Small Signal) NXP. Questi dispositivi sono caratterizzati da tensioni di saturazione collettore-emettitore molto basse e capacità di corrente collettore elevate in contenitori compatti salvaspazio. Le perdite ridotte di questi transistor si traducono in una minore generazione di calore e un aumento complessivo dell'efficienza quando utilizzati in applicazioni digitali e di commutazione.
Transistor bipolari, Nexperia
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