Codice costruttore

Transistor Nexperia, 4 Pin NPN, UPAK, 2 A, 50 V, Superficie

Codice RS:: 166-0477
Codice costruttore:: PBSS4250X,115
Costruttore:: Nexperia

Transistor Nexperia, 4 Pin NPN, UPAK, 2 A, 50 V, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

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Codice RS:: 166-0477
Codice costruttore:: PBSS4250X,115
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo prodotto	Transistor
	Corrente CC massima collettore Idc	2A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo	50V
	Tipo di package	UPAK
	Tipo montaggio	Superficie
	Configurazione transistor	Singolo
	Tensione massima base del collettore VCBO	50V
	Minima temperatura operativa	-65°C
	Frequenza transizione massima ft	100MHz
	Tensione massima base emettitore VBEO	5V
	Guadagno minimo di corrente CC hFE	150
	Dissipazione di potenza massima Pd	1W
	Polarità transistor	NPN
	Numero pin	4
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Serie	PBSS4250X
	Altezza	1.5mm
	Lunghezza	4.6mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Nexperia
	Tipo prodotto Transistor
	Corrente CC massima collettore Idc 2A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo 50V
	Tipo di package UPAK
	Tipo montaggio Superficie
	Configurazione transistor Singolo
	Tensione massima base del collettore VCBO 50V
	Minima temperatura operativa -65°C
	Frequenza transizione massima ft 100MHz
	Tensione massima base emettitore VBEO 5V
	Guadagno minimo di corrente CC hFE 150
	Dissipazione di potenza massima Pd 1W
	Polarità transistor NPN
	Numero pin 4
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Serie PBSS4250X
	Altezza 1.5mm
	Lunghezza 4.6mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Transistor NPN a bassa tensione di saturazione

Una gamma di transistor a giunzione bipolare NPN a bassa tensione di saturazione BISS (Breakthrough In Small Signal) NXP. Questi dispositivi sono caratterizzati da tensioni di saturazione collettore-emettitore molto basse e capacità di corrente collettore elevate in contenitori compatti salvaspazio. Le perdite ridotte di questi transistor si traducono in una minore generazione di calore e un aumento complessivo dell'efficienza quando utilizzati in applicazioni digitali e di commutazione.

Transistor bipolari, Nexperia

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