Transistor Nexperia, 4 Pin NPN, UPAK, 3 A, 50 V, Superficie
- Codice RS:
- 166-0481
- Codice costruttore:
- PBSS4350X,115
- Costruttore:
- Nexperia
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- Codice RS:
- 166-0481
- Codice costruttore:
- PBSS4350X,115
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 3A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 50V | |
| Tipo di package | UPAK | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 50V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.6W | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 5V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 100 | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Frequenza transizione massima ft | 100MHz | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 4 | |
| Lunghezza | 4.6mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | PBSS4350X | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 3A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 50V | ||
Tipo di package UPAK | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 50V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 5V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 100 | ||
Polarità transistor NPN | ||
Frequenza transizione massima ft 100MHz | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 4 | ||
Lunghezza 4.6mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie PBSS4350X | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Transistor NPN a bassa tensione di saturazione
Una gamma di transistor a giunzione bipolare NPN a bassa tensione di saturazione BISS (Breakthrough In Small Signal) NXP. Questi dispositivi sono caratterizzati da tensioni di saturazione collettore-emettitore molto basse e capacità di corrente collettore elevate in contenitori compatti salvaspazio. Le perdite ridotte di questi transistor si traducono in una minore generazione di calore e un aumento complessivo dell'efficienza quando utilizzati in applicazioni digitali e di commutazione.
Transistor bipolari, Nexperia
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