Codice costruttore

Transistor Nexperia, 3 Pin PnP, SOT-23, -2 A, -30 V, Superficie

Codice RS:: 166-0523
Codice costruttore:: PBSS5230T,215
Costruttore:: Nexperia

Transistor Nexperia, 3 Pin PnP, SOT-23, -2 A, -30 V, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

276,00 €

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3000 +	0,092 €	276,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 166-0523
Codice costruttore:: PBSS5230T,215
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo prodotto	Transistor
	Corrente CC massima collettore Idc	-2A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo	-30V
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Configurazione transistor	Singolo
	Tensione massima base del collettore VCBO	30V
	Polarità transistor	PnP
	Frequenza transizione massima ft	200MHz
	Minima temperatura operativa	-65°C
	Tensione massima base emettitore VBEO	5V
	Guadagno minimo di corrente CC hFE	100
	Dissipazione di potenza massima Pd	480mW
	Numero pin	3
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.1mm
	Lunghezza	3mm
	Serie	PBSS5230T
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Nexperia
	Tipo prodotto Transistor
	Corrente CC massima collettore Idc -2A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo -30V
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Configurazione transistor Singolo
	Tensione massima base del collettore VCBO 30V
	Polarità transistor PnP
	Frequenza transizione massima ft 200MHz
	Minima temperatura operativa -65°C
	Tensione massima base emettitore VBEO 5V
	Guadagno minimo di corrente CC hFE 100
	Dissipazione di potenza massima Pd 480mW
	Numero pin 3
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.1mm
	Lunghezza 3mm
	Serie PBSS5230T
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Transistor PNP a bassa tensione di saturazione

Una gamma di transistor a giunzione bipolare PNP a bassa tensione di saturazione BISS (Breakthrough In Small Signal) NXP. Questi dispositivi sono caratterizzati da tensioni di saturazione collettore-emettitore molto basse e capacità di corrente collettore elevate in contenitori compatti salvaspazio. Le perdite ridotte di questi transistor si traducono in una minore generazione di calore e un aumento complessivo dell'efficienza quando utilizzati in applicazioni digitali e di commutazione.

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