Codice costruttore

Transistor Nexperia, 4 Pin PnP, UPAK, -1 A, -100 V, Superficie

Codice RS:: 166-1255
Codice costruttore:: PBSS9110X,135
Costruttore:: Nexperia

Transistor Nexperia, 4 Pin PnP, UPAK, -1 A, -100 V, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

480,00 €

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Unità	Per unità	Per bobina*
4000 +	0,12 €	480,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 166-1255
Codice costruttore:: PBSS9110X,135
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo prodotto	Transistor
	Corrente CC massima collettore Idc	-1A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo	-100V
	Tipo di package	UPAK
	Tipo montaggio	Superficie
	Configurazione transistor	Singolo
	Tensione massima base del collettore VCBO	120V
	Minima temperatura operativa	-65°C
	Tensione massima base emettitore VBEO	5V
	Guadagno minimo di corrente CC hFE	125
	Polarità transistor	PnP
	Frequenza transizione massima ft	100MHz
	Dissipazione di potenza massima Pd	2W
	Numero pin	4
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.5mm
	Standard/Approvazioni	No
	Serie	PBSS9110X
	Lunghezza	4.5mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Nexperia
	Tipo prodotto Transistor
	Corrente CC massima collettore Idc -1A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo -100V
	Tipo di package UPAK
	Tipo montaggio Superficie
	Configurazione transistor Singolo
	Tensione massima base del collettore VCBO 120V
	Minima temperatura operativa -65°C
	Tensione massima base emettitore VBEO 5V
	Guadagno minimo di corrente CC hFE 125
	Polarità transistor PnP
	Frequenza transizione massima ft 100MHz
	Dissipazione di potenza massima Pd 2W
	Numero pin 4
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.5mm
	Standard/Approvazioni No
	Serie PBSS9110X
	Lunghezza 4.5mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Transistor PNP a bassa tensione di saturazione

Una gamma di transistor a giunzione bipolare PNP a bassa tensione di saturazione BISS (Breakthrough In Small Signal) NXP. Questi dispositivi sono caratterizzati da tensioni di saturazione collettore-emettitore molto basse e capacità di corrente collettore elevate in contenitori compatti salvaspazio. Le perdite ridotte di questi transistor si traducono in una minore generazione di calore e un aumento complessivo dell'efficienza quando utilizzati in applicazioni digitali e di commutazione.

Transistor bipolari, Nexperia

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