Transistor Nexperia PBSS5480X,135, 4 Pin PnP, UPAK, -4 A, -80 V, Superficie
- Codice RS:
- 518-2006
- Codice costruttore:
- PBSS5480X,135
- Costruttore:
- Nexperia
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 518-2006
- Codice costruttore:
- PBSS5480X,135
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -4A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -80V | |
| Tipo di package | UPAK | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 80V | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Frequenza transizione massima ft | 125MHz | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 80 | |
| Numero pin | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 4.6mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | PBSS5480X | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc -4A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -80V | ||
Tipo di package UPAK | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 80V | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Polarità transistor PnP | ||
Frequenza transizione massima ft 125MHz | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 80 | ||
Numero pin 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 4.6mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie PBSS5480X | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor PNP a bassa tensione di saturazione
Una gamma di transistor a giunzione bipolare PNP a bassa tensione di saturazione BISS (Breakthrough In Small Signal) NXP. Questi dispositivi sono caratterizzati da tensioni di saturazione collettore-emettitore molto basse e capacità di corrente collettore elevate in contenitori compatti salvaspazio. Le perdite ridotte di questi transistor si traducono in una minore generazione di calore e un aumento complessivo dell'efficienza quando utilizzati in applicazioni digitali e di commutazione.
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