Transistor bipolare RF Infineon BFP842ESDH6327XTSA1, 4 Pin NPN, SOT-343, 40 mA, 3.25 V, Superficie
- Codice RS:
- 170-2366
- Codice costruttore:
- BFP842ESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 170-2366
- Codice costruttore:
- BFP842ESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare RF | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 40mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 3.25V | |
| Tipo di package | SOT-343 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 4.1V | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 120mW | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 4.1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Frequenza transizione massima ft | 57GHz | |
| Numero pin | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.3mm | |
| Lunghezza | 2.1mm | |
| Serie | BFP842ESD | |
| Larghezza | 1.25mm | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC47/20/22 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare RF | ||
Corrente CC massima collettore Idc 40mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 3.25V | ||
Tipo di package SOT-343 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 4.1V | ||
Polarità transistor NPN | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 120mW | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 4.1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Frequenza transizione massima ft 57GHz | ||
Numero pin 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.3mm | ||
Lunghezza 2.1mm | ||
Serie BFP842ESD | ||
Larghezza 1.25mm | ||
Standard/Approvazioni JEDEC47/20/22 | ||
Il modello BFP842ESD è un HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) ad alte prestazioni specificamente progettato per applicazioni LNA da 2,3 - 3,5 GHz. Il dispositivo si basa sull'affidabile tecnologia SiGe:C ad alto volume d'Infineon. Il modello BFP842ESD offre un ingresso intrinsecamente buono, corrispondente potenza di uscita nonché una corrispondenza di rumore intrinsecamente buona a 2,3 e 3,5 GHz. La corrispondenza simultanea tra rumore e potenza senza componenti abbinati esterni all'ingresso si traduce in un basso numero di parti esterne, un livello di rumorosità molto buono e un guadagno del trasduttore molto elevato nelle applicazioni.
Amplificatore robusto a rumorosità molto bassa, basato sull'affidabile
tecnologia wafer SiGe:C ad alto volume di Infineon
Esclusiva combinazione di prestazioni RF high-end e robustezza
Linearità elevata
Elevata frequenza di transizione
Guadagno del trasduttore
Ideale per le applicazioni a bassa tensione
Basso consumo energetico, ideale per le applicazioni mobili
Facile da usare, senza alogeni e senza piombo: il contenitore è standard industriale con terminali visibili
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