Transistor bipolare RF NPN Infineon, 4 Pin, SOT-343, 40 mA, 3,25 V, Montaggio superficiale

Il modello BFP842ESD è un HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) ad alte prestazioni specificamente progettato per applicazioni LNA da 2,3 - 3,5 GHz. Il dispositivo si basa sull'affidabile tecnologia SiGe:C ad alto volume d'Infineon. Il modello BFP842ESD offre un ingresso intrinsecamente buono, corrispondente potenza di uscita nonché una corrispondenza di rumore intrinsecamente buona a 2,3 e 3,5 GHz. La corrispondenza simultanea tra rumore e potenza senza componenti abbinati esterni all'ingresso si traduce in un basso numero di parti esterne, un livello di rumorosità molto buono e un guadagno del trasduttore molto elevato nelle applicazioni.

Amplificatore robusto a rumorosità molto bassa, basato sull'affidabile
tecnologia wafer SiGe:C ad alto volume di Infineon
Esclusiva combinazione di prestazioni RF high-end e robustezza
Linearità elevata
Elevata frequenza di transizione
Guadagno del trasduttore
Ideale per le applicazioni a bassa tensione
Basso consumo energetico, ideale per le applicazioni mobili
Facile da usare, senza alogeni e senza piombo: il contenitore è standard industriale con terminali visibili