Transistor bipolare RF Infineon, 4 Pin NPN, SOT-343, 40 mA, 4.5 V, Superficie
- Codice RS:
- 273-7298
- Codice costruttore:
- BFP410H6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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| 100 - 225 | 0,428 € | 10,70 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7298
- Codice costruttore:
- BFP410H6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare RF | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 40mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 4.5V | |
| Tipo di package | SOT-343 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | NPN | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 13V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 1.5V | |
| Frequenza transizione massima ft | 25GHz | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 60 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150mW | |
| Numero pin | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | BFP | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC47/20/22 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare RF | ||
Corrente CC massima collettore Idc 40mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 4.5V | ||
Tipo di package SOT-343 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor NPN | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 13V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 1.5V | ||
Frequenza transizione massima ft 25GHz | ||
Polarità transistor NPN | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 60 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150mW | ||
Numero pin 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie BFP | ||
Standard/Approvazioni JEDEC47/20/22 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor RF bipolare NPN di Infineon è un dispositivo a basso rumore basato su un emettitore a massa che fa parte della famiglia di transistor bipolari RF di quarta generazione di Infineon. La frequenza di transizione fT di 25 GHz e le caratteristiche di bassa corrente rendono questo dispositivo adatto agli oscillatori ad alta frequenza. Il prezzo rimane competitivo senza compromettere la facilità d'uso.
Guadagno elevato
Numero minimo di rumori
Adatto per amplificatori a banda larga a bassa rumorosità
LNAs per applicazioni in banda ISM sub 1 GHz
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