Transistor bipolare RF Infineon, 4 Pin NPN, SOT-343, 65 mA, 20 V, Superficie
- Codice RS:
- 273-7296
- Codice costruttore:
- BFP183WH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,249 € | 6,23 € |
| 50 - 75 | 0,243 € | 6,08 € |
| 100 - 225 | 0,138 € | 3,45 € |
| 250 - 975 | 0,135 € | 3,38 € |
| 1000 + | 0,103 € | 2,58 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7296
- Codice costruttore:
- BFP183WH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare RF | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 65mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 20V | |
| Tipo di package | SOT-343 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 450mW | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 70 | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 2V | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Frequenza transizione massima ft | 8GHz | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 4 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | BFP183W | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare RF | ||
Corrente CC massima collettore Idc 65mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 20V | ||
Tipo di package SOT-343 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 450mW | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 70 | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 2V | ||
Polarità transistor NPN | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Frequenza transizione massima ft 8GHz | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 4 | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie BFP183W | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il transistor RF al silicio di Infineon è progettato per amplificatori a banda larga a basso rumore e alto guadagno con correnti di collettore da 2 mA a 30 mA. Questo transistor RF al silicio è qualificato in conformità con AEC Q101.
Senza alogeni
Contenitore senza piombo
Conformità alla direttiva RoHS
Disponibile con cavi visibili
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