Transistor bipolare RF NPN Infineon, SOT-343, 50 mA, 4,1 V, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
259-1442
Codice costruttore:
BFP640H6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo transistor

NPN

Corrente c.c. massima collettore

50 mA

Tensione massima collettore emitter

4,1 V

Tipo di package

SOT-343

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Il transistor RF (HBT) bipolare a banda larga eterojunzione NPN al carbonio germanio al silicio (SiGe:C) Infineon in un contenitore standard a doppio emettitore in plastica con cavi visibili. Il dispositivo è dotato di circuiti di protezione interni, che migliorano la robustezza contro le ESD e l'elevata potenza di ingresso RF. Il dispositivo combina la robustezza con un guadagno RF molto elevato e la cifra di rumore più bassa a bassa corrente d'esercizio per l'uso in un'ampia gamma di applicazioni wireless. Il modello BFP640ESD è particolarmente adatto per le applicazioni portatili alimentate a batteria in cui il consumo energetico ridotto è un requisito fondamentale. Il design del dispositivo supporta tensioni del collettore fino a 4,1 V.

Robusto amplificatore a bassa rumorosità ad alte prestazioni basato sull'affidabile tecnologia Infineon
Robustezza ESD 2 kV (HBM) grazie ai circuiti di protezione integrati
Elevata potenza di ingresso RF massima di 21 dBm

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