Transistor bipolare RF Infineon, 4 Pin NPN, SOT-343, 50 mA, 4.1 V, Superficie

Il transistor RF (HBT) bipolare a banda larga eterojunzione NPN al carbonio germanio al silicio (SiGe:C) Infineon in un contenitore standard a doppio emettitore in plastica con cavi visibili. Il dispositivo è dotato di circuiti di protezione interni, che migliorano la robustezza contro le ESD e l'elevata potenza di ingresso RF. Il dispositivo combina la robustezza con un guadagno RF molto elevato e la cifra di rumore più bassa a bassa corrente d'esercizio per l'uso in un'ampia gamma di applicazioni wireless. Il modello BFP640ESD è particolarmente adatto per le applicazioni portatili alimentate a batteria in cui il consumo energetico ridotto è un requisito fondamentale. Il design del dispositivo supporta tensioni del collettore fino a 4,1 V.

Robusto amplificatore a bassa rumorosità ad alte prestazioni basato sull'affidabilità di Infineon