Transistor bipolare RF Infineon BFP183WH6327XTSA1, 4 Pin NPN, SOT-343, 65 mA, 20 V, Superficie

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Codice RS:
273-7295
Codice costruttore:
BFP183WH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor bipolare RF

Corrente CC massima collettore Idc

65mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

20V

Tipo di package

SOT-343

Tipo montaggio

Superficie

Tensione massima base del collettore VCBO

20V

Polarità transistor

NPN

Tensione massima base emettitore VBEO

2V

Dissipazione di potenza massima Pd

450mW

Guadagno minimo di corrente CC hFE

70

Frequenza transizione massima ft

8GHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Numero pin

4

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

BFP183W

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor RF al silicio di Infineon è progettato per amplificatori a banda larga a basso rumore e alto guadagno con correnti di collettore da 2 mA a 30 mA. Questo transistor RF al silicio è qualificato in conformità con AEC Q101.

Senza alogeni

Contenitore senza piombo

Conformità alla direttiva RoHS

Disponibile con cavi visibili

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