Transistor Digitale onsemi MUN5335DW1T1G US NPN + PNP, 6 Pin, 50 V 100 mA, Superficie
- Codice RS:
- 184-1373
- Codice costruttore:
- MUN5335DW1T1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 184-1373
- Codice costruttore:
- MUN5335DW1T1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tipo di package | US | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 50V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Transistor con resistenza di polarizzazione complementare | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 50V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 0.25V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 80 | |
| Polarità transistor | NPN + PNP | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 100mA | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 385mW | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 6 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Pb-Free | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tipo di package US | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 50V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Transistor con resistenza di polarizzazione complementare | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 50V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 0.25V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 80 | ||
Polarità transistor NPN + PNP | ||
Corrente massima continua collettore Ic 100mA | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 385mW | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 6 | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Pb-Free | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Questa serie di transistor digitali è progettata per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzazione della resistenza esterna. Il transistor a resistenza di polarizzazione (BRT) contiene un singolo transistor con una rete di polarizzazione monolitica composta da due resistenze, una resistenza di base seriale e una resistenza di base-emettitore. Il BRT elimina questi singoli componenti integrandoli in un unico dispositivo. L'uso di un BRT può ridurre sia il costo del sistema che lo spazio della scheda.
Semplifica la progettazione dei circuiti
Riduce lo spazio della scheda
Riduce il conteggio dei componenti
Questi dispositivi sono senza Pb, senza alogeni/senza BFR
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