Transistor Digitale onsemi MUN5313DW1T1G US NPN + PNP, 6 Pin, 50 V 100 mA, Superficie
- Codice RS:
- 184-1312
- Codice costruttore:
- MUN5313DW1T1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 184-1312
- Codice costruttore:
- MUN5313DW1T1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tipo di package | US | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 50V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 50V | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 100mA | |
| Polarità transistor | NPN + PNP | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 80 | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 0.25V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 385mW | |
| Numero pin | 6 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Pb-Free | |
| Larghezza | 1.35mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tipo di package US | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 50V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 50V | ||
Corrente massima continua collettore Ic 100mA | ||
Polarità transistor NPN + PNP | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 80 | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 0.25V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 385mW | ||
Numero pin 6 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Pb-Free | ||
Larghezza 1.35mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Questa serie di transistor digitali è progettata per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzazione della resistenza esterna. Il transistor a resistenza di polarizzazione (BRT) contiene un singolo transistor con una rete di polarizzazione monolitica composta da due resistenze, una resistenza di base seriale e una resistenza di base-emettitore. Il BRT elimina questi singoli componenti integrandoli in un unico dispositivo. L'uso di un BRT può ridurre sia il costo del sistema che lo spazio della scheda.
Semplifica la progettazione dei circuiti
Riduce lo spazio della scheda
Riduce il conteggio dei componenti
Questi dispositivi sono senza Pb, senza alogeni/senza BFR
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