- Codice RS:
- 184-1312
- Codice costruttore:
- MUN5313DW1T1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice costruttore:
- MUN5313DW1T1G
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
Questa serie di transistor digitali è progettata per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzazione del resistore esterno. Il Transistore di Resistenza Bias (BRT) contiene un singolo transistore con una rete monolitica di polarizzazione costituita da due resistori, un resistore di base in serie e un resistore base-emettitore. Il BRT elimina questi singoli componenti integrandoli in un unico dispositivo. L'uso di un BRT può ridurre sia il costo del sistema che lo spazio sulla scheda.
Semplifica La Progettazione Dei Circuiti
Riduce Lo Spazio Sulla Scheda
Riduce Il Conteggio Dei Componenti
Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR
Riduce Lo Spazio Sulla Scheda
Riduce Il Conteggio Dei Componenti
Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo transistor | NPN/PNP |
Corrente c.c. massima collettore | 100 mA |
Tensione massima collettore emitter | 50 V |
Tipo di package | SOT-363 |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Dissipazione di potenza massima | 385 mW |
Tensione massima base del collettore | 50 V |
Numero pin | 6 |
Numero di elementi per chip | 2 |
Dimensioni | 2.2 x 1.35 x 1mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
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