Transistor Digitale onsemi MUN5216DW1T1G US NPN, 6 Pin, 50 V 100 mA, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
186-8709
Codice costruttore:
MUN5216DW1T1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Digitale

Tipo di package

US

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

50V

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Duale

Tensione massima base del collettore VCBO

50V

Dissipazione di potenza massima Pd

385mW

Corrente massima continua collettore Ic

100mA

Polarità transistor

NPN

Guadagno minimo di corrente CC hFE

160

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

0.25V

Numero pin

6

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

Pb-Free, RoHS

Lunghezza

2.2mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Questa serie di transistor digitali è progettata per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzazione della resistenza esterna. Il transistor a resistenza di polarizzazione (BRT) contiene un singolo transistor con una rete di polarizzazione monolitica composta da due resistenze, una resistenza di base seriale e una resistenza di base-emettitore. Il BRT elimina questi singoli componenti integrandoli in un unico dispositivo. L'uso di un BRT può ridurre sia il costo del sistema che lo spazio della scheda.

Semplifica la progettazione dei circuiti

Riduce lo spazio della scheda

Riduce il conteggio dei componenti

Prefisso SS e NSV per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti di modifica del sito e del controllo unici, in grado di PPAP

Questi dispositivi sono senza Pb, senza alogeni/senza BFR

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