Transistor Digitale onsemi WDFN Canale N, 8 Pin 4.8 A, Superficie

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Codice RS:
186-7155
Codice costruttore:
FDMB3800N
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Digitale

Tipo di package

WDFN

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Duale

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Polarità transistor

Canale N

Corrente massima continua collettore Ic

4.8A

Numero pin

8

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3mm

Altezza

0.8mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Questi MOSFET a livello logico a canale N sono prodotti utilizzando un Advanced PowerTrench processo che è stato appositamente adattato per minimizzare la resistenza di stato e mantenere prestazioni di commutazione superiori Questi dispositivi sono adatti per applicazioni a bassa tensione e alimentazione a batteria dove sono richieste una bassa perdita di potenza in linea e una commutazione veloce.

Max rDS(on) = 40mΩ a VGS = 10V, ID = 4.8A

Max rDS(on) = 51 mΩ a VGS = 4,5 V, ID = 4,3a

Elevata velocità di commutazione

Bassa carica del portellone

Tecnologia trench ad alte prestazioni per rDS(on) estremamente bassi

Elevata potenza e capacità di gestione della corrente.

Applications

Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.

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