Transistor Digitale onsemi FDMB3800N WDFN Canale N, 8 Pin 4.8 A, Superficie

Visualizza Transistor bipolari
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
186-8543
Codice costruttore:
FDMB3800N
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Digitale

Tipo di package

WDFN

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Duale

Corrente massima continua collettore Ic

4.8A

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Polarità transistor

Canale N

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

8

Altezza

0.8mm

Lunghezza

3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Questi MOSFET a livello logico a canale N sono prodotti utilizzando un Advanced PowerTrench processo che è stato appositamente adattato per minimizzare la resistenza di stato e mantenere prestazioni di commutazione superiori Questi dispositivi sono adatti per applicazioni a bassa tensione e alimentazione a batteria dove sono richieste una bassa perdita di potenza in linea e una commutazione veloce.

Max rDS(on) = 40mΩ a VGS = 10V, ID = 4.8A

Max rDS(on) = 51 mΩ a VGS = 4,5 V, ID = 4,3a

Elevata velocità di commutazione

Bassa carica del portellone

Tecnologia trench ad alte prestazioni per rDS(on) estremamente bassi

Elevata potenza e capacità di gestione della corrente.

Applications

Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.