Transistor Digitale onsemi FQD18N20V2TM Canale N, 2 Pin, Superficie

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 10 unità, in una confezione da 10*

13,46 €

(IVA esclusa)

16,42 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 117 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Confezione/i
Per confezione
Per unità*
1 - 913,46 €1,346 €
10 - 2410,08 €1,008 €
25 - 499,97 €0,997 €
50 - 998,58 €0,858 €
100 +6,99 €0,699 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
186-7921
Codice costruttore:
FQD18N20V2TM
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Digitale

Tipo montaggio

Superficie

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Polarità transistor

Canale N

Numero pin

2

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22mm

Altezza

2.26mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di potenza in modalità di arricchimento a canale N è prodotto utilizzando una striscia planare proprietaria e tecnologia DMOS. Questa tecnologia MOSFET Advanced è stata appositamente progettata per ridurre la resistenza allo stato di accensione e fornire prestazioni di commutazione superiori e un'elevata resistenza all'energia a valanga. Questi dispositivi sono adatti per alimentatori switching, PFC (Active Power Factor Correction) e alimentatori elettronici per lampade.

15A, 200V, RDS(on) = 140mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 7.5A

Bassa carica di gate (tip. 20nC)

Basso CRS (Typ. 25pF)

Applications

TV LCD

TV PDP

TV LED

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.