- Codice RS:
- 186-7921
- Codice costruttore:
- FQD18N20V2TM
- Costruttore:
- onsemi
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per 1 confezione da 10
10,28 €
(IVA esclusa)
12,54 €
(IVA inclusa)
Confezione(i) | Per confezione | Per unità* |
---|---|---|
1 - 9 | 10,28 € | 1,028 € |
10 - 24 | 7,70 € | 0,77 € |
25 - 49 | 7,61 € | 0,761 € |
50 - 99 | 6,55 € | 0,655 € |
100 + | 5,34 € | 0,534 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 186-7921
- Codice costruttore:
- FQD18N20V2TM
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
Questo MOSFET di potenza in modalità di arricchimento a canale N è prodotto utilizzando una striscia planare proprietaria e tecnologia DMOS. Questa tecnologia MOSFET Advanced è stata appositamente progettata per ridurre la resistenza allo stato di accensione e fornire prestazioni di commutazione superiori e un'elevata resistenza all'energia a valanga. Questi dispositivi sono adatti per alimentatori switching, PFC (Active Power Factor Correction) e alimentatori elettronici per lampade.
15A, 200V, RDS(on) = 140mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 7.5A
Bassa carica di gate (tip. 20nC)
Basso CRS (Typ. 25pF)
Applications
TV LCD
TV PDP
TV LED
Bassa carica di gate (tip. 20nC)
Basso CRS (Typ. 25pF)
Applications
TV LCD
TV PDP
TV LED
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di package | DPAK |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Dissipazione di potenza massima | 83 W |
Numero pin | 2 + Tab |
Numero di elementi per chip | 1 |
Dimensioni | 6.73 x 6.22 x 2.26mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
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