Transistor Digitale onsemi FQD18N20V2TM Canale N, 2 Pin, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
186-7399
Codice costruttore:
FQD18N20V2TM
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Digitale

Tipo montaggio

Superficie

Polarità transistor

Canale N

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

2

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.26mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di potenza in modalità di arricchimento a canale N è prodotto utilizzando una striscia planare proprietaria e tecnologia DMOS. Questa tecnologia MOSFET Advanced è stata appositamente progettata per ridurre la resistenza allo stato di accensione e fornire prestazioni di commutazione superiori e un'elevata resistenza all'energia a valanga. Questi dispositivi sono adatti per alimentatori switching, PFC (Active Power Factor Correction) e alimentatori elettronici per lampade.

15A, 200V, RDS(on) = 140mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 7.5A

Bassa carica di gate (tip. 20nC)

Basso CRS (Typ. 25pF)

Applications

TV LCD

TV PDP

TV LED

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