Transistor Digitale onsemi FDB38N30U Canale N, 2 Pin, Superficie
- Codice RS:
- 186-8142
- Codice costruttore:
- FDB38N30U
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 186-8142
- Codice costruttore:
- FDB38N30U
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 313W | |
| Polarità transistor | Canale N | |
| Numero pin | 2 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.58mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Serie | UniFET Ultra FRFET MOSFET | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 313W | ||
Polarità transistor Canale N | ||
Numero pin 2 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.58mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Serie UniFET Ultra FRFET MOSFET | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET UniFETTM è una famiglia di MOSFET ad alta tensione basata sulla striscia planare e sulla tecnologia DMOS. Questo MOSFET è realizzato su misura per ridurre la resistenza di stato e per fornire migliori prestazioni di commutazione e una maggiore resistenza all'energia da valanga. Il MOSFET Ultra FRFETTM UNIFET ha prestazioni di recupero inverso del diodo di body molto superiori. Il suo trr è inferiore a 50 nsec e l'immunità inversa dv/dt è di 20 V/nsec mentre i MOSFET planari normali hanno rispettivamente oltre 200 nsec e 4,5 V/nsec. Pertanto, il MOSFET Ultra FRFET UNIFET può rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema in alcune applicazioni che richiedono un miglioramento delle prestazioni del diodo di body del MOSFET. Questa famiglia di dispositivi è adatta per applicazioni di convertitore di potenza a commutazione, quali la correzione del fattore di potenza (PFC), l'alimentazione TV a schermo piatto (FPD), ATX e alimentatori elettronici a lampada.
RDS(on) = 120 mΩ ( Max.)@ VGS = 10 V, ID = 19 A.
Bassa carica di gate (tip. 56nC)
Basso CRS (Typ. 55pF)
Applications
Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.
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