Transistor Digitale onsemi FDB38N30U Canale N, 2 Pin, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
186-8142
Codice costruttore:
FDB38N30U
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Digitale

Tipo montaggio

Superficie

Dissipazione di potenza massima Pd

313W

Polarità transistor

Canale N

Numero pin

2

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.58mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.67mm

Serie

UniFET Ultra FRFET MOSFET

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET UniFETTM è una famiglia di MOSFET ad alta tensione basata sulla striscia planare e sulla tecnologia DMOS. Questo MOSFET è realizzato su misura per ridurre la resistenza di stato e per fornire migliori prestazioni di commutazione e una maggiore resistenza all'energia da valanga. Il MOSFET Ultra FRFETTM UNIFET ha prestazioni di recupero inverso del diodo di body molto superiori. Il suo trr è inferiore a 50 nsec e l'immunità inversa dv/dt è di 20 V/nsec mentre i MOSFET planari normali hanno rispettivamente oltre 200 nsec e 4,5 V/nsec. Pertanto, il MOSFET Ultra FRFET UNIFET può rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema in alcune applicazioni che richiedono un miglioramento delle prestazioni del diodo di body del MOSFET. Questa famiglia di dispositivi è adatta per applicazioni di convertitore di potenza a commutazione, quali la correzione del fattore di potenza (PFC), l'alimentazione TV a schermo piatto (FPD), ATX e alimentatori elettronici a lampada.

RDS(on) = 120 mΩ ( Max.)@ VGS = 10 V, ID = 19 A.

Bassa carica di gate (tip. 56nC)

Basso CRS (Typ. 55pF)

Applications

Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.

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