Transistor Digitale onsemi FQB5N90TM Canale N, 2 Pin, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
186-7897
Codice costruttore:
FQB5N90TM
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Digitale

Tipo montaggio

Superficie

Dissipazione di potenza massima Pd

158W

Polarità transistor

Canale N

Numero pin

2

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.58mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di potenza in modalità di arricchimento a canale N è prodotto utilizzando una striscia planare proprietaria e tecnologia DMOS. Questa tecnologia MOSFET Advanced è stata appositamente progettata per ridurre la resistenza allo stato di accensione e fornire prestazioni di commutazione superiori e un'elevata resistenza all'energia a valanga. Questi dispositivi sono adatti per alimentatori switching, PFC (Active Power Factor Correction) e alimentatori elettronici per lampade.

5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 2.7A

Bassa carica di gate (tip. 31nC)

Basso CRS (Typ. 13pF)

Applications

Illuminazione

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