Transistor Digitale onsemi FGD3245G2-F085 Canale N, 2 Pin, 450 V 23 A, Superficie
- Codice RS:
- 186-8035
- Codice costruttore:
- FGD3245G2-F085
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 186-8035
- Codice costruttore:
- FGD3245G2-F085
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 450V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 23A | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Polarità transistor | Canale N | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.85V | |
| Numero pin | 2 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | EcoSPARK-2 | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 2.26mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 450V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Corrente massima continua collettore Ic 23A | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Polarità transistor Canale N | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.85V | ||
Numero pin 2 | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie EcoSPARK-2 | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 2.26mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- PH
I modelli FGB3245G2_F085 e FGD3245G2 sono IGBT a canale N progettati nella tecnologia EcoSPARK® 2 di Fairchild, che contribuisce all'eliminazione dei circuiti di protezione esterni. La tecnologia è ottimizzata per il pilotaggio della coil in un ambiente duro dei sistemi di accensione per autoveicoli e offre eccezionali capacità di Vsat e SCIS Energy anche a temperature di esercizio elevate. L'ingresso della porta di livello logico è protetto da ESD e dispone di un resistore di porta integrato. Una circuiteria zener integrata blocca la tensione collettore-emettitore dell'IGBT a 450 V, consentendo ai sistemi che richiedono una tensione di scintilla più elevata.
Energia SCIS = 320 mJ a TJ = 25°C.
Unità gate di livello logico
Bassa tensione di saturazione
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