Transistor Digitale onsemi FDMA430NZ Canale N, 6 Pin, Superficie
- Codice RS:
- 186-8181
- Codice costruttore:
- FDMA430NZ
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 186-8181
- Codice costruttore:
- FDMA430NZ
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Polarità transistor | Canale N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.4W | |
| Numero pin | 6 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Serie | PowerTrench | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Polarità transistor Canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.4W | ||
Numero pin 6 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Lunghezza 2mm | ||
Serie PowerTrench | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TH
Questo MOSFET a canale singolo N è stato progettato utilizzando un Advanced Power Trench per ottimizzare RDS(on) @VGS=2,5V su un particolare leadframe MicroFET.
RDS(on) = 40 mΩ a VGS = 4,5 V, ID = 5,0A
RDS(on) = 50 mΩ@ VGS = 2,5 V, ID = 4,5 A.
Basso profilo - 0,8 mm massimo nella nuova pacchettoMicroFET 2x2 mm
Livello di protezione ESD HBM> 2,5 k V tipico (nota 3)
Non contenenti composti alogenati e ossidi di antimonio
Applications
Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.
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