Transistor Digitale onsemi MMBT4401WT1G NPN, 3 Pin, 40 V, Superficie
- Codice RS:
- 186-8461
- Codice costruttore:
- MMBT4401WT1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 186-8461
- Codice costruttore:
- MMBT4401WT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 40V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 60V | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 6V cc | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150mW | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 100 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 40V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 60V | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 6V cc | ||
Polarità transistor NPN | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150mW | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 100 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 3 | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il transistor bipolare NPN è progettato per applicazioni di amplificatori per impieghi generali. È alloggiata nel contenitore SOT-323/SC-70, progettato per applicazioni di montaggio superficiale a bassa potenza.
Livello di sensibilità all'umidità: 1
Grado ESD: modello corpo umano - modello macchina 4 kV - 400 V
È disponibile un contenitore senza piombo
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