Transistor Digitale onsemi NPN, 2 Pin, 100 V, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

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Codice RS:
186-7395
Codice costruttore:
FJB102TM
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Digitale

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

100V

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Duale

Tensione massima base del collettore VCBO

100V

Guadagno minimo di corrente CC hFE

200

Dissipazione di potenza massima Pd

80W

Polarità transistor

NPN

Tensione massima base emettitore VBEO

5V

Numero pin

2

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

15.88mm

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.58mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
FJB102: transistor Darlington di potenza ad alta tensione da 100 V

Guadagno di corrente c.c. elevato: hFE=1000 a VCE= 4 V, IC= 3 A (min.)

Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore

Elevata tensione di mantenimento del collettore-emettitore

Struttura monolitica con resistenze shunt base-emettitore integrate

Uso industriale

Applicazioni

Questo prodotto è ad uso generale e adatto per molte applicazioni diverse.

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