Transistor Digitale onsemi FJB102TM NPN, 2 Pin, 100 V, Superficie
- Codice RS:
- 186-8055
- Codice costruttore:
- FJB102TM
- Costruttore:
- onsemi
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 186-8055
- Codice costruttore:
- FJB102TM
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 100V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 100V | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 5V | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 80W | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 200 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 2 | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.58mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 100V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 100V | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 5V | ||
Polarità transistor NPN | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 80W | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 200 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 2 | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.58mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
FJB102: transistor Darlington di potenza ad alta tensione da 100 V
Guadagno di corrente c.c. elevato: hFE=1000 a VCE= 4 V, IC= 3 A (min.)
Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore
Elevata tensione di mantenimento del collettore-emettitore
Struttura monolitica con resistenze shunt base-emettitore integrate
Uso industriale
Applicazioni
Questo prodotto è ad uso generale e adatto per molte applicazioni diverse.
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