Transistor bipolare STMicroelectronics, 3 Pin PnP, SOT-23, -2 A, -60 V, Superficie
- Codice RS:
- 188-8261
- Codice costruttore:
- 2STR2160
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
432,00 €
(IVA esclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,144 € | 432,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-8261
- Codice costruttore:
- 2STR2160
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -2A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -60V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | -60V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 45 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500mW | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | -5V | |
| Numero pin | 3 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare | ||
Corrente CC massima collettore Idc -2A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -60V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO -60V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 45 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500mW | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Polarità transistor PnP | ||
Tensione massima base emettitore VBEO -5V | ||
Numero pin 3 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il dispositivo in un transistor PNP è realizzato utilizzando la nuova tecnologia "PB-HCD" (potenza bipolare ad alta densità di corrente). Il transistor risultante mostra prestazioni di guadagno eccezionalmente elevate accoppiate a una tensione di saturazione molto bassa.
Tensione di saturazione collettore-emettitore molto bassa
Caratteristica di guadagno di corrente elevato
Velocità di commutazione rapida
Contenitore in plastica SOT-23 miniaturizzato per circuiti di montaggio superficiale
Applicazioni
LED
Caricabatterie
Motore e driver relè
Regolazione della tensione
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