Codice costruttore

Transistor bipolare STMicroelectronics 2STF2550, 4 Pin PnP, SOT-89, -10 A, -50 V, Superficie

Codice RS:: 188-8437
Codice costruttore:: 2STF2550
Costruttore:: STMicroelectronics

Transistor bipolare STMicroelectronics 2STF2550, 4 Pin PnP, SOT-89, -10 A, -50 V, Superficie

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Unità	Per unità	Per confezione*
25 - 75	0,40 €	10,00 €
100 - 475	0,281 €	7,03 €
500 - 975	0,232 €	5,80 €
1000 - 2475	0,188 €	4,70 €
2500 +	0,161 €	4,03 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 188-8437
Codice costruttore:: 2STF2550
Costruttore:: STMicroelectronics

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo prodotto	Transistor bipolare
	Corrente CC massima collettore Idc	-10A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo	-50V
	Tipo di package	SOT-89
	Tipo montaggio	Superficie
	Configurazione transistor	Singolo
	Tensione massima base emettitore VBEO	-5V
	Guadagno minimo di corrente CC hFE	80
	Polarità transistor	PnP
	Minima temperatura operativa	-65°C
	Frequenza transizione massima ft	1MHz
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.4W
	Numero pin	4
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.6mm
	Lunghezza	4.6mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio STMicroelectronics
	Tipo prodotto Transistor bipolare
	Corrente CC massima collettore Idc -10A
	Tensione massima emettitore del collettore Vceo -50V
	Tipo di package SOT-89
	Tipo montaggio Superficie
	Configurazione transistor Singolo
	Tensione massima base emettitore VBEO -5V
	Guadagno minimo di corrente CC hFE 80
	Polarità transistor PnP
	Minima temperatura operativa -65°C
	Frequenza transizione massima ft 1MHz
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.4W
	Numero pin 4
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.6mm
	Lunghezza 4.6mm
	Standard automobilistico No

Datasheet 2STF2550

I transistor 2STF2550 e 2STN2550 sono transistor PNP realizzati utilizzando la nuova tecnologia "PB-HCD" (potenza bipolare ad alta densità di corrente). Il transistor risultante mostra prestazioni di guadagno eccezionalmente elevate accoppiate a una tensione di saturazione molto bassa.

Tensione di saturazione collettore-emettitore molto bassa

Velocità di commutazione rapida

Caratteristica di guadagno di corrente elevato

Dispositivi per montaggio superficiale in contenitori SOT-89 e SOT-223 a potenza media

Applicazioni

Illuminazione di emergenza

LED

Scheda madre e unità disco rigido

Apparecchiature mobili

Caricabatterie

Regolazione della tensione