Transistor bipolare STMicroelectronics 2STF2550, 4 Pin PnP, SOT-89, -10 A, -50 V, Superficie
- Codice RS:
- 188-8437
- Codice costruttore:
- 2STF2550
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
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| 250 - 1225 | 0,275 € | 6,88 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-8437
- Codice costruttore:
- 2STF2550
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -10A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -50V | |
| Tipo di package | SOT-89 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 80 | |
| Frequenza transizione massima ft | 1MHz | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | -5V | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.4W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 4 | |
| Lunghezza | 4.6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare | ||
Corrente CC massima collettore Idc -10A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -50V | ||
Tipo di package SOT-89 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 80 | ||
Frequenza transizione massima ft 1MHz | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO -5V | ||
Polarità transistor PnP | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.4W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 4 | ||
Lunghezza 4.6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I transistor 2STF2550 e 2STN2550 sono transistor PNP realizzati utilizzando la nuova tecnologia "PB-HCD" (potenza bipolare ad alta densità di corrente). Il transistor risultante mostra prestazioni di guadagno eccezionalmente elevate accoppiate a una tensione di saturazione molto bassa.
Tensione di saturazione collettore-emettitore molto bassa
Velocità di commutazione rapida
Caratteristica di guadagno di corrente elevato
Dispositivi per montaggio superficiale in contenitori SOT-89 e SOT-223 a potenza media
Applicazioni
Illuminazione di emergenza
LED
Scheda madre e unità disco rigido
Apparecchiature mobili
Caricabatterie
Regolazione della tensione
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Illuminazione di emergenza
LED
Scheda madre e unità disco rigido
Apparecchiature mobili
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