- Codice RS:
- 188-8269
- Codice costruttore:
- BUL1102EFP
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
1,218 €
(IVA esclusa)
1,486 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per stecca* |
50 - 50 | 1,218 € | 60,90 € |
100 - 200 | 1,157 € | 57,85 € |
250 - 450 | 1,041 € | 52,05 € |
500 + | 1,035 € | 51,75 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 188-8269
- Codice costruttore:
- BUL1102EFP
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Si tratta di un transistor di potenza NPN a commutazione rapida ad alta tensione fabbricato in tecnologia planare multiepitassiale. Utilizza una struttura di emettitore cellulare con terminazione di bordo planare per migliorare le velocità di commutazione mantenendo un'ampia RBSOA.
Grazie ad un aumentato strato intermedio, ha una robustezza intrinseca che permette al transistore di sopportare un elevato livello di corrente di collettore in condizioni di breakdown, senza utilizzare la protezione Transil™ normalmente necessaria nei convertitori tipici per la zavorra di lampada.
Grazie ad un aumentato strato intermedio, ha una robustezza intrinseca che permette al transistore di sopportare un elevato livello di corrente di collettore in condizioni di breakdown, senza utilizzare la protezione Transil™ normalmente necessaria nei convertitori tipici per la zavorra di lampada.
Capacità ad alta tensione
Velocità di commutazione molto elevata
Applications
Zavorra elettronica a quattro luci per:
120 V di rete in configurazione push-pull
Rete da 277 V in configurazione di alimentazione di corrente a mezzo ponte
Velocità di commutazione molto elevata
Applications
Zavorra elettronica a quattro luci per:
120 V di rete in configurazione push-pull
Rete da 277 V in configurazione di alimentazione di corrente a mezzo ponte
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo transistor | NPN |
Corrente c.c. massima collettore | 8 A |
Tensione massima collettore emitter | 450 V |
Tipo di package | TO-220FP |
Tipo di montaggio | Su foro |
Dissipazione di potenza massima | 70 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima base emitter | 12 V |
Numero pin | 3 |
Numero di elementi per chip | 1 |
Dimensioni | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
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