Transistor bipolare STMicroelectronics, 3 Pin NPN, TO-220, 8 A, 450 V, Foro passante
- Codice RS:
- 188-8269
- Codice costruttore:
- BUL1102EFP
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 188-8269
- Codice costruttore:
- BUL1102EFP
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 8A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 450V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 12V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 12 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 70W | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Serie | BUL1102E | |
| Altezza | 30.6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.6mm | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare | ||
Corrente CC massima collettore Idc 8A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 450V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 12V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 12 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 70W | ||
Polarità transistor NPN | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 3 | ||
Serie BUL1102E | ||
Altezza 30.6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.6mm | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Si tratta di un transistor di potenza NPN ad alta tensione a commutazione rapida realizzato con tecnologia Planar multiepitassiale. Utilizza una struttura di emettitore cellulare con terminazione a bordo planare per migliorare le velocità di commutazione mantenendo un'ampia RBSOA.
Grazie a un maggiore strato intermedio, è dotato di una robustezza intrinseca che consente al transistor di resistere a un elevato livello di corrente del collettore durante le condizioni di guasto, senza utilizzare la protezione TransilTM normalmente necessaria nei convertitori tipici per il ballast della lampada.
Capacità di alta tensione
Velocità di commutazione molto elevata
Applicazioni
Quattro ballast elettronici per lampade per:
Alimentazione da 120 V in configurazione push-pull
277 V di rete in configurazione di alimentazione di corrente a mezzo ponte
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