Transistor bipolare RF NPN Infineon BFP640FH6327XTSA1, 4 Pin NPN, TSFP, 50 mA, 4 V, Superficie
- Codice RS:
- 216-8352
- Codice costruttore:
- BFP640FH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 50 unità*
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 216-8352
- Codice costruttore:
- BFP640FH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare RF NPN | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 50mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 4V | |
| Tipo di package | TSFP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | NPN | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 13V | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 1.2V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 110 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200mW | |
| Frequenza transizione massima ft | 42GHz | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 4 | |
| Serie | BFP640F | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare RF NPN | ||
Corrente CC massima collettore Idc 50mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 4V | ||
Tipo di package TSFP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor NPN | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 13V | ||
Polarità transistor NPN | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 1.2V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 110 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200mW | ||
Frequenza transizione massima ft 42GHz | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 4 | ||
Serie BFP640F | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie BFP di Infineon è un transistor bipolare RF basato sulla tecnologia al germanio al silicio. La sua frequenza di transizione di 42 GHz e le sue elevate caratteristiche di linearità a basse correnti rendono il dispositivo adatto per progetti ad alta efficienza energetica a frequenze fino a 8 GHz. Il prezzo rimane competitivo senza compromettere la facilità d'uso.
Offre prestazioni eccezionali per un'ampia gamma di applicazioni wireless
Ideale per applicazioni CDMA e WLAN
Guadagno stabile massimo elevato
Metallizzazione in oro per un'elevata affidabilità
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