Transistor bipolare RF Infineon BFP620FH7764XTSA1, 4 Pin NPN, TSFP-4-1, 80 mA, 7.5 V, Superficie
- Codice RS:
- 261-3947
- Codice Distrelec:
- 304-41-641
- Codice costruttore:
- BFP620FH7764XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 20 unità, in una confezione da 20*
9,46 €
(IVA esclusa)
11,54 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 3000 unità in spedizione dal 12 novembre 2026
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 0,473 € | 9,46 € |
| 40 - 80 | 0,425 € | 8,50 € |
| 100 - 220 | 0,383 € | 7,66 € |
| 240 - 480 | 0,345 € | 6,90 € |
| 500 + | 0,31 € | 6,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 261-3947
- Codice Distrelec:
- 304-41-641
- Codice costruttore:
- BFP620FH7764XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare RF | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 80mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 7.5V | |
| Tipo di package | TSFP-4-1 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | NPN | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 7.5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Frequenza transizione massima ft | 65GHz | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 185mW | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 110 | |
| Numero pin | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 1.4mm | |
| Serie | BFP | |
| Altezza | 0.55mm | |
| Larghezza | 1.2mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare RF | ||
Corrente CC massima collettore Idc 80mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 7.5V | ||
Tipo di package TSFP-4-1 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor NPN | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 7.5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Frequenza transizione massima ft 65GHz | ||
Polarità transistor NPN | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 185mW | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 110 | ||
Numero pin 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 1.4mm | ||
Serie BFP | ||
Altezza 0.55mm | ||
Larghezza 1.2mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Link consigliati
- Transistor bipolare RF Infineon TSFP-4-1 7.5 V, Superficie
- Transistor bipolare RF NPN Infineon TSFP 4 V, Superficie
- Transistor bipolare RF NPN Infineon BFP640FH6327XTSA1 TSFP 4 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon TSFP-4-1 10 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon TSFP-4-1 4.2 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon TSFP-4-1 13 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon TSFP-4-1 13 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon BFP650H6327XTSA1 TSFP-4-1 13 V, Superficie
