Transistor bipolare RF Infineon BFP720FH6327XTSA1, 4 Pin NPN, TSFP-4-1, 25 mA, 13 V, Superficie
- Codice RS:
- 261-3948
- Codice costruttore:
- BFP720FH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 bobina da 3000 unità*
891,00 €
(IVA esclusa)
1086,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 10 maggio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,297 € | 891,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,267 € | 801,00 € |
| 9000 + | 0,24 € | 720,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 261-3948
- Codice costruttore:
- BFP720FH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare RF | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 25mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 13V | |
| Tipo di package | TSFP-4-1 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | NPN | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 13V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 160 | |
| Frequenza transizione massima ft | 45GHz | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100mW | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 4 | |
| Altezza | 0.55mm | |
| Lunghezza | 1.4mm | |
| Serie | BFP | |
| Larghezza | 1.2mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare RF | ||
Corrente CC massima collettore Idc 25mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 13V | ||
Tipo di package TSFP-4-1 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor NPN | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 13V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 160 | ||
Frequenza transizione massima ft 45GHz | ||
Polarità transistor NPN | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100mW | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 4 | ||
Altezza 0.55mm | ||
Lunghezza 1.4mm | ||
Serie BFP | ||
Larghezza 1.2mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor bipolare eterojunzione RF NPN a banda larga Infineon con alta frequenza di transizione che consente una bassa rumorosità alle alte frequenze. Qualifica per applicazioni industriali secondo i test pertinenti di JEDEC47/20/22.
Che ha un valore di guadagno elevato
Corrente di base 2 mA
Link consigliati
- Transistor bipolare RF Infineon BFP720FH6327XTSA1 TSFP-4-1 13 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon TSFP-4-1 13 V, Superficie
- Transistor bipolare RF NPN Infineon TSFP 4 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon BFP650H6327XTSA1 TSFP-4-1 13 V, Superficie
- Transistor bipolare RF NPN Infineon BFP640FH6327XTSA1 TSFP 4 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon TSFP-4-1 10 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon TSFP-4-1 4.2 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon TSFP-4-1 7.5 V, Superficie