Transistor bipolare Toshiba, 3 Pin NPN, SOT-23, 200 mA, 50 V, Superficie

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Codice RS:
236-3586
Codice costruttore:
TBC847B,LM(T
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

Transistor bipolare

Corrente CC massima collettore Idc

200mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

50V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima base del collettore VCBO

60V

Minima temperatura operativa

-55°C

Guadagno minimo di corrente CC hFE

200

Tensione massima base emettitore VBEO

6V

Polarità transistor

NPN

Dissipazione di potenza massima Pd

320mW

Numero pin

3

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

TBC847

Altezza

0.95mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.9mm

Standard automobilistico

No

Il transistor bipolare Toshiba è realizzato in silicio e ha un tipo epitassiale NPN. Viene utilizzato principalmente in amplificatori a bassa frequenza.

Temperatura di stoccaggio: -55 → 150 °C

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