Transistor bipolare a bassa saturazione DiodesZetex DXTP3C100PSQ-13, 8 Pin PnP, PowerDI5060-8, -3 A, -100 V, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7583
Codice costruttore:
DXTP3C100PSQ-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

Transistor bipolare a bassa saturazione

Corrente CC massima collettore Idc

-3A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

-100V

Tipo di package

PowerDI5060-8

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Saturazione bassa

Tensione massima base del collettore VCBO

-100V

Minima temperatura operativa

-55°C

Frequenza transizione massima ft

125MHz

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Tensione massima base emettitore VBEO

-7V

Polarità transistor

PnP

Guadagno minimo di corrente CC hFE

170

Numero pin

8

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

DXTP3C100PSQ-13

Lunghezza

5.15mm

Altezza

6.4mm

Standard automobilistico

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

DiodesZetex produce un transistor PNP a bassa saturazione ad alta potenza. Il dispositivo offre BVCEO superiore a -100 V ed è progettato per temperature superiori a 175 °C, il che lo rende ideale per le applicazioni con temperatura ambiente elevata. Il contenitore per dispositivi powerDI5060-8 è privo di piombo, alogeni e antimonio.

La tensione collettore-emettitore è di -100 V. Il dispositivo ha una classificazione di infiammabilità ul di 94V-0 Il dispositivo ha una sensibilità all'umidità di livello 3 secondo J-STD-020 La finitura dei terminali è di rame ricotto con stagno opaco

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