Transistor bipolare RF Infineon, 4 Pin NPN, SOT-343, 45 mA, 13 V, Superficie
- Codice RS:
- 259-1447
- Codice costruttore:
- BFP740FESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 259-1447
- Codice costruttore:
- BFP740FESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare RF | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 45mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 13V | |
| Tipo di package | SOT-343 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | NPN | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 13V | |
| Frequenza transizione massima ft | 44GHz | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 160 | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 160mW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Numero pin | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 1.4mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | BFP | |
| Altezza | 0.55mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare RF | ||
Corrente CC massima collettore Idc 45mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 13V | ||
Tipo di package SOT-343 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor NPN | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 13V | ||
Frequenza transizione massima ft 44GHz | ||
Polarità transistor NPN | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 160 | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 160mW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Numero pin 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 1.4mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie BFP | ||
Altezza 0.55mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor RF bipolare a banda larga eterojunzione NPN al carbonio germanio al silicio (SiGe:C) Infineon (HBT), si tratta di comunicazioni wireless: WLAN, WiMax e UWB.
Bassa rumorosità NFmin 0,85 dB a 5,5 GHz, 3 V, 6 mA
Gain elevato Gms 19,5 dB a 5,5 GHz, 3 V, 15 mA
OOIP3 24,5 dBm a 5,5 GHz, 3 V, 15 mA
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