Transistor bipolare RF Infineon BFP740FESDH6327XTSA1, 4 Pin NPN, SOT-343, 45 mA, 13 V, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
259-1448
Codice costruttore:
BFP740FESDH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor bipolare RF

Corrente CC massima collettore Idc

45mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

13V

Tipo di package

SOT-343

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

NPN

Tensione massima base del collettore VCBO

13V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

160mW

Polarità transistor

NPN

Frequenza transizione massima ft

44GHz

Guadagno minimo di corrente CC hFE

160

Tensione massima base emettitore VBEO

1.2V

Numero pin

4

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

BFP

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

1.4mm

Altezza

0.55mm

Standard automobilistico

No

Il transistor RF bipolare a banda larga eterojunzione NPN al carbonio germanio al silicio (SiGe:C) Infineon (HBT), si tratta di comunicazioni wireless: WLAN, WiMax e UWB.

Bassa rumorosità NFmin 0,85 dB a 5,5 GHz, 3 V, 6 mA

Gain elevato Gms 19,5 dB a 5,5 GHz, 3 V, 15 mA

OOIP3 24,5 dBm a 5,5 GHz, 3 V, 15 mA

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