Transistor bipolare RF NPN Infineon, SOT-343, 45 mA, 13 V, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 259-1448
- Codice costruttore:
- BFP740FESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,262 € | 6,55 € |
| 125 - 225 | 0,21 € | 5,25 € |
| 250 - 600 | 0,197 € | 4,93 € |
| 625 - 1225 | 0,183 € | 4,58 € |
| 1250 + | 0,15 € | 3,75 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 259-1448
- Codice costruttore:
- BFP740FESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo transistor | NPN | |
| Corrente c.c. massima collettore | 45 mA | |
| Tensione massima collettore emitter | 13 V | |
| Tipo di package | SOT-343 | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo transistor NPN | ||
Corrente c.c. massima collettore 45 mA | ||
Tensione massima collettore emitter 13 V | ||
Tipo di package SOT-343 | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Il transistor RF bipolare a banda larga eterojunzione NPN al carbonio germanio al silicio (SiGe:C) Infineon (HBT), si tratta di comunicazioni wireless: WLAN, WiMax e UWB.
Bassa rumorosità NFmin 0,85 dB a 5,5 GHz, 3 V, 6 mA
Guadagno elevato Gms 19,5 dB a 5,5 GHz, 3 V, 15 mA
OIP3 24,5 dBm a 5,5 GHz, 3 V, 15 mA
Guadagno elevato Gms 19,5 dB a 5,5 GHz, 3 V, 15 mA
OIP3 24,5 dBm a 5,5 GHz, 3 V, 15 mA
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