Transistor Infineon BFP720H6327XTSA1, 4 Pin NPN, SOT-343, 25 mA, 13 V, Superficie

Una gamma di transistor RF bipolari NPN a banda larga a bassissima rumorosità di Infineon. Questi dispositivi bipolari a giunzione etero utilizzano la tecnologia del materiale in carbonio germanico al silicio (SiGe:C) di Infineon e sono particolarmente adatti per l'uso in applicazioni mobili in cui il basso consumo energetico è un requisito fondamentale. Con frequenze di transizione tipiche fino a 65 GHz, questi dispositivi offrono un elevato guadagno di potenza a frequenze fino a 10 GHz quando utilizzati in applicazioni di amplificatori. I transistor includono circuiti interni per ESD e protezione di potenza di ingresso RF eccessiva.