Transistor Darlington NPN onsemi, TO-220, 3 Pin, 10 A c.c., 100 V c.c., , Montaggio su foro
- Codice RS:
- 186-8049
- Codice costruttore:
- MJF6388G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
23,48 €
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- Codice RS:
- 186-8049
- Codice costruttore:
- MJF6388G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli Prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo transistor | NPN | |
| Corrente massima continuativa collettore | 10 A c.c. | |
| Tensione massima collettore emitter | 100 V c.c. | |
| Tensione massima base emitter | 5 V c.c. | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione | Single | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Guadagno minimo corrente c.c. | 100 | |
| Tensione massima base del collettore | 100 V c.c. | |
| Tensione massima di saturazione collettore emitter | 3 V c.c. | |
| Dimensioni | 10.63 x 4.9 x 16.12mm | |
| Minima temperatura operativa | -65 °C | |
| Dissipazione di potenza massima | 40 W | |
| Larghezza | 4.9mm | |
| Lunghezza | 10.63mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Altezza | 16.12mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo transistor NPN | ||
Corrente massima continuativa collettore 10 A c.c. | ||
Tensione massima collettore emitter 100 V c.c. | ||
Tensione massima base emitter 5 V c.c. | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione Single | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Guadagno minimo corrente c.c. 100 | ||
Tensione massima base del collettore 100 V c.c. | ||
Tensione massima di saturazione collettore emitter 3 V c.c. | ||
Dimensioni 10.63 x 4.9 x 16.12mm | ||
Minima temperatura operativa -65 °C | ||
Dissipazione di potenza massima 40 W | ||
Larghezza 4.9mm | ||
Lunghezza 10.63mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Altezza 16.12mm | ||
- Paese di origine:
- KR
Il transistore bipolare di potenza è progettato per applicazioni di amplificazione e commutazione generiche, in cui è necessario isolare elettricamente la superficie di montaggio del dispositivo dal dissipatore o dallo chassis.
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100 Vceo(sus)
Corrente collettore nominale 10 A.
Non sono necessarie rondelle isolanti
Costi di sistema ridotti
Guadagno di corrente c.c. elevato 1000 (min) @ IC = 5,0 Adc
Alta tensione di isolamento (fino a 4500 VRMS)
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