Transistor bipolari | RS
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    Transistor bipolari

    I transistor bipolari sono componenti a stato solido, a tre pin, realizzati in tre strati di silicio. Un transistor bipolare è progettato per amplificare la corrente e può anche funzionare come un interruttore.

    Esistono due tipi di transistor: transistor PNP (positivo negativo positivo) e transistor NPN (negativo positivo negativo).

    Come è realizzato un transistor bipolare

    I transistor a giunzione bipolare sono costruiti unendo due diodi di segnale back-to-back, creando due giunzioni PN collegate in serie, con la condivisione di un terminale P o N comune.

    Per natura, il silicio normalmente non conduce bene l'elettricità. Tuttavia, quando il silicio viene trattato con determinati prodotti chimici o impurità, è possibile far sì che il materiale e gli elettroni si comportino in modo diverso. Questo processo è chiamato doping (drogaggio) e migliora la capacità dei semiconduttori di condurre l'elettricità.

    Transistor bipolare funzionamento

    I transistor bipolari hanno due funzioni possibili, commutazione, e amplificazione. Grazie ai dispositivi tre strati di materiale semiconduttore miscelato, l'alimentazione del transistor con una tensione di segnale consente al componente discreto di agire come isolante o conduttore.

    Questo cambiamento intelligente fornisce ai transistor due funzioni di base: elettronica di commutazione (digitale) o elettronica di amplificazione (analogica).

    I transistor sono disponibili a pannello, con opzioni di montaggio superficiale, e a foro passante in contenitore di plastica o in metallo. Tutti sono dotati di tre terminali o pin: la base, il collettore, e l'emettitore.

    Tipi di transistor bipolari

    Sono inoltre disponibili come:

    • Transistor digitali - sono realizzati in materiale semiconduttore, di solito silicio, che conduce la corrente (o l'elettricità) con poca resistenza. Inoltre, tendono ad avere almeno tre terminali per facilitare il collegamento a un circuito esterno.
    • Transistor UJT - realizzati con una barra di silicone di tipo N leggermente drogato con un piccolo pezzo di materiale di tipo P fortemente drogato fissato su un lato. Poiché la barra di silicio è leggermente drogata, ha una resistenza molto elevata.
    • Transistor bipolare BJT
    • Transistor bipolare NPN
    • Transistor bipolare PNP

    Applicazioni dei transistor bipolari

    I transistor sono uno dei componenti discreti più comunemente utilizzati nei progetti e nei circuiti elettronici. Sono utilizzati per l'amplificazione di tutti i tipi di segnali elettrici nei circuiti costituiti da singoli componenti piuttosto che da IC (circuiti integrati).

    5272 prodotti trovati per Transistor bipolari

    onsemi
    NPN
    -
    100 V
    TO-92
    Su foro
    830 mW
    -
    Singolo
    -
    5 V
    -
    3
    1
    onsemi
    PNP
    -15 A
    -120 V
    TO-204AA
    Su foro
    180 W
    -
    Singolo
    200 V
    7 V
    1 MHz
    2
    1
    onsemi
    NPN
    8 A
    150 V
    TO-220AB
    Su foro
    50 W
    -
    Singolo
    150 V
    5 V
    30 MHz
    3
    1
    onsemi
    -
    -
    -
    TO-3P
    Su foro
    312 W
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    1
    STMicroelectronics
    NPN
    4 A
    800 V
    TO-220
    Su foro
    9 W
    12
    Singolo
    1600 V
    9 V
    -
    3
    1
    STMicroelectronics
    NPN
    30 A
    350 V
    TO-220AB
    Su foro
    150 W
    300
    Emettitore comune
    -
    5 V
    -
    3
    2
    onsemi
    PNP
    -5 A
    -80 V
    TO-220
    Su foro
    40 W
    10
    Singolo
    80 V c.c.
    5 V c.c.
    1 MHz
    3
    1
    STMicroelectronics
    NPN
    25 A
    100 V
    TO-247
    Su foro
    125 W
    15
    Singolo
    100 V
    5 V
    3 MHz
    3
    1
    onsemi
    PNP
    -16 A
    -250 V
    TO-264
    Su foro
    200 W
    -
    Singolo
    400 V c.c.
    5 V
    1 MHz
    3
    1
    DiodesZetex
    NPN
    2 A
    100 V
    TO-92
    Su foro
    1 W
    100
    Singolo
    120 V
    5 V
    175 MHz
    3
    1
    onsemi
    PNP
    -30 A
    -100 V
    TO-204AA
    Su foro
    200 W
    25
    Singolo
    100 V
    4 V
    1 MHz
    2
    1
    onsemi
    PNP
    -100 mA
    -50 V
    SOT-23
    Montaggio superficiale
    338 mW
    -
    Singolo
    50 V
    -
    -
    3
    1
    Nexperia
    NPN/PNP
    100 mA
    45 V
    UMT
    Montaggio superficiale
    200 mW
    200
    Isolato
    50 V
    5 V
    100 MHz
    6
    2
    onsemi
    PNP
    -
    -100 V
    TO-220
    Su foro
    65 W
    30
    Singolo
    -
    5 V c.c.
    -
    3
    1
    onsemi
    PNP
    -1,5 A
    -150 V
    TO-220
    Su foro
    25 W
    -
    Singolo
    -150 V
    -5 V
    4 MHz
    3
    1
    onsemi
    NPN
    40 A
    100 V
    TO-204AA
    Su foro
    160 W
    -
    Singolo
    100 V c.c.
    5 V c.c.
    1 MHz
    3
    1
    STMicroelectronics
    PNP
    -15 A
    -100 V
    TO-220
    Su foro
    90 W
    15
    Singolo
    100 V
    5 V
    3 MHz
    3
    1
    STMicroelectronics
    PNP
    -3 A
    -100 V
    TO-220
    Su foro
    2 W
    10
    Singolo
    100 V
    5 V
    -
    3
    1
    onsemi
    NPN
    100 A
    650 V
    TO-247
    Su foro
    238 W
    -
    Singolo
    -
    -
    1 MHz
    3
    1
    onsemi
    NPN
    100 mA
    45 V
    TO-92
    Su foro
    500 mW
    200, 420
    Singolo
    50 V
    6 V
    300 MHz
    3
    1
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