Diodo raddrizzatore e Schottky Infineon, Montaggio superficiale, 6A, 650V, PG-VSON-4

Il diodo Schottky Infineon è dotato di carburo di silicio, un materiale semiconduttore rivoluzionario. Il processo di saldatura a diffusione proprietario Infineon, già introdotto con G3, viene ora combinato con un nuovo. Ha un design più compatto e una tecnologia thin-wafer.

Materiale semiconduttore rivoluzionario - Carburo di silicio
Comportamento di commutazione di riferimento
Nessun recupero inverso/ Nessun recupero in avanti
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Elevata capacità di corrente di picco
Piombatura senza Pb
Conforme alla direttiva RoHS
Qualificato secondo JEDEC1 per le applicazioni target
Tensione di breakdown testata a 4,5 mA2
Ottimizzato per il funzionamento ad alta temperatura